LED外延片是一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片，材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積方法。

LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。

電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺積電這樣的代工廠；而分立器件一顆die就是獨立的一個發(fā)光源再加上正負(fù)電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨立的LED IC設(shè)計公司。

2，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個數(shù)量級（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴(yán)重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。

LED模組安裝注意事項：

1.沒有經(jīng)過防水處理的LED模組，安裝在吸塑字或者箱體時，應(yīng)預(yù)防雨水進(jìn)入。

2.LED模組的間距可根據(jù)亮度和模組大小等實際情況進(jìn)行調(diào)整，每平方的數(shù)量一般在50-100組之間。在排布LED模組的時候，應(yīng)注意發(fā)光的均勻和亮度需求;模組與字體邊的距離一般為2-5公分，模組與模組間的垂直和水平距離建議為2-6CM。LED模組安裝時不可推，擠壓模組上的器件，以免造成器件的破壞，里面的連接線應(yīng)該玻璃膠固定在地板上，以免遮光。

3.LED模組與發(fā)光體表面的距離要控制好，這樣才能保證光的均勻性和亮度，所以燈箱的厚度也很重要。