超純金屬的制備有化學(xué)提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結(jié)合有效。

由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學(xué)方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個(gè)新的高度。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。可以用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測(cè)的原理（見區(qū)域熔煉）。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。ITO靶制備的透明導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學(xué)系統(tǒng)中，全球需求量都很大。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。

在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。

綁定的適用范圍

技術(shù)上來說表面平整可進(jìn)行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術(shù)綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。

建議綁定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；

錫、銦等軟金屬靶；

靶材太薄、靶材太貴的情況等。

但下列情況綁定有弊端：

1.熔點(diǎn)低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時(shí)候可能會(huì)變軟變形；

2.貴金屬靶材，一是實(shí)際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時(shí)候都會(huì)有浪費(fèi)料，建議墊一片銅片。