眾所周知，靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發，預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。在制造發泡輥筒時，與間歇式方法相比，連續硫化處理法的優點是能夠使發泡微孔的直徑更小。另外，近年來平面顯示器（FPD）大幅度取代原以陰極射線管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機市場．亦將大幅增加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續增加．這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域，以及這些領域靶材發展的趨勢。

平面顯示器（FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態的氧化銦混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態的氧化銦混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取方法生產ITO靶材，利用L}IRF反應濺射鍍膜．它具有沉積速度快．且能控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優點。

任何金屬都不能達到純。“超純”具有相對的含義，是指技術上達到的標準。

由于技術的發展，也常使 “超純”的標準升級。“超純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。

但只當金屬純度達到很高的標準時（如純度9以上的金屬），物理雜質的概念才是有意義的，因此目前工業生產的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。

燒結法：ITO靶材燒結制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料，加入粘結劑和分散劑混合后，壓力成型，脫脂，然后于1400℃---1600℃燒結。在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。燒結法設備投入少，成本低，產品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性很強。

ITO靶制備的透明導電薄膜廣泛應用于數碼相機、投影電視、數碼顯示的各種光學系統中，全球需求量都很大。