眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商．近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開發(fā)，預(yù)計(jì)未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。瑞典人穆桑德爾(C．G．Mosander)自1826年先制得金屬以來，現(xiàn)已能生產(chǎn)全部稀土金屬，產(chǎn)品純度達(dá)到99。另外，近年來平面顯示器（FPD）大幅度取代原以陰極射線管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)．亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加．這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢(shì)。

工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測(cè)定物理化學(xué)性能之用。主要有四種提純方法在試驗(yàn)室中使用，即真空熔融，真空蒸餾或升華，電遷移和區(qū)域熔煉。在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。 稀土金屬棒在區(qū)域熔煉爐中以很慢的速度（如提純釔時(shí)為0.4毫米/分），進(jìn)行多次區(qū)熔，對(duì)去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質(zhì)有明顯效果，但對(duì)氧、氮、碳、氫無效。此外，電解精煉、區(qū)熔－電遷移聯(lián)合法提純稀土也有一定效果。

由于具有獨(dú)特的物理化學(xué)性能，當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，將會(huì)越來越多的應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微電子技術(shù)等高科技領(lǐng)域及石油化工、化學(xué)工業(yè)、汽車尾氣凈化等與人類生活息息相關(guān)的領(lǐng)域，并在眾多的應(yīng)用領(lǐng)域中起著關(guān)鍵的的作用，因此被譽(yù)為“首要高技術(shù)金屬”、“現(xiàn)代工業(yè)的維生素”“現(xiàn)代新金屬”，發(fā)達(dá)的國(guó)家長(zhǎng)期以來一直把視為“戰(zhàn)略性物質(zhì)”。工業(yè)上大量使用的是工業(yè)純稀土金屬，較高純度的稀土金屬主要供測(cè)定物理化學(xué)性能之用。