公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在n溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

在電源開關(guān)等供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案中，方案設(shè)計(jì)人員會(huì)更多關(guān)注MOS管的多個(gè)主要參數(shù)，如通斷電阻器、較大工作電壓、較大電流量。這種要素雖然關(guān)鍵，考慮到不當(dāng)之處會(huì)使電源電路沒法正常的工作中，但其實(shí)這只完成了頭一步，MOS管自身的寄生參數(shù)才算是危害電源電路的重要之處。

MOS管失效的兩個(gè)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡(jiǎn)單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡(jiǎn)而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測(cè)試時(shí)這種故障更為常見)。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時(shí)候也稱作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型,全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異,可分成“N型”與“P型”的兩個(gè)類型,也就是常說的Nmos、Pmos。