公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
場效應管有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統中,場效應管可被看成電氣開關。當在n溝道場效應管的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚場效應管的柵極是個高阻抗端,因此,總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設計意圖工作,并可能在不恰當的時刻導通或關閉,導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時,開關關閉,而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管的選型是很重要的一個環節,MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本,同時也會給工程師帶來諸多麻煩。
為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。
在典型的功率應用中,當一個MOS管接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOS管,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。 當MOS管連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管,這也是出于對電壓驅動的考慮。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOSFET芯片制做進行后,必須封裝才能夠應用。說白了封裝便是給MOSFET芯片加一個機殼,這一機殼具備支撐點、維護、制冷的功效,與此同時還為芯片給予保護接地和防護,便于MOSFET元器件與其他元器件組成詳細的電源電路。
輸出功率MOSFET的封裝方式有插入式和表面貼裝試兩大類。插入式便是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔電焊焊接在PCB上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及排熱法電焊焊接在PCB表面的焊層上。
芯片的原材料、加工工藝是MOSFET性能質量的關鍵性要素,重視提升MOSFET的性能的生產制造廠商會在芯片核i心構造、相對密度及其加工工藝層面開展改善,而這種技術性改善將投入很高的成本費。封裝技術性會直接影響到芯片的各種性能與質量,面對一樣的芯片需要以不一樣的方式進行封裝,這么做也可以提升芯片的性能。