泛半導體工藝伴隨許多種特殊制程，會使用到大量超高純（ppt 級別）的干濕化學品，這是完成工藝成果的重要介質，其特點是昂貴并伴隨排放。在集成電路領域，高純工藝系統主要包括高純特氣系統、大宗氣體系統、高純化學品系統、研磨液供應及回收系統、前驅體工藝介質系統等。其中，各類高純氣體系統主要服務于幾大干法工藝設備，各類高純化學品主要服務于濕法工藝設備。

半導體是許多工業整機設備的，普遍應用于計算機、消費類電子、網絡通信、汽車電子等領域，半導體主要由四個部分組成：集成電路、光電器件、分立器件和傳感器，其中集成電路在總銷售額占比高達80%以上，是半導體產業鏈的領域。半導體清洗用于去除半導體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能存在的雜質，避免雜質影響芯片良率和芯片產品性能目前，隨著芯片制造程度的持續提升，對晶圓表面污染物的控制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復性工序后，都需要一步清洗工序。

干法清洗主要是采用氣態的刻蝕不規則分布的有結構的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術節點的邏輯產品和存儲產品有應用。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式互補所短，在短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術路線，占比達芯片制造清洗步驟數量的 90%。

一種半導體氧化設備,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;設置于氧化室內,并用來支撐半導體樣品的基座;用于向所述氧化室供應對所述

半導體樣品的特定部分進行氧化的水蒸汽的供應部分;監測窗，其設置于所述氧化室的室壁之一內,并且設置于能夠面對支撐于所述基座上的所述半導體樣品的位置處;監測部分,其設置于所述氧化室之外，并且能夠經由所述監測窗面對支撐于所述基座上的半導體樣品;以及調整所述基座和所述監測部分之間的距離的調整部分。